DDR4

• Módulo de memoria dual en línea de contorno pequeño, tipo zócalo, 260 pines (SO-DIMM)

• Velocidades de transferencia de datos rápidas: PC4-2400

• VDD = 1,2 V (típico)

• VPP = 2,5 V (típico)

• VDDSPD = 2,2–3,6 V

• Terminación integrada (ODT) nominal y dinámica para señales de datos, estroboscópicas y de máscara

• Autoactualización de bajo consumo (LPASR)

• Inversión de bus de datos (DBI) para bus de datos

• Generación y calibración de VREFDQ en matriz

• Doble rango

• EEPROM de detección de presencia en serie (SPD) integrada

• 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada uno

• Se corrigió el corte de ráfaga (BC) de 4 y la longitud de ráfaga (BL) de 8 a través del conjunto de registros de modo (MRS)

• BC4 o BL8 seleccionable sobre la marcha (OTF)

• Contactos de borde dorado

• Libre de halógeno

• Topología de sobrevuelo

• Bus de control, comando y dirección terminado